Micron produceert eind dit jaar 3d-nandgeheugen van 232 lagen – Computer – Nieuws

Micron kondigt 3d-nandgeheugen met 232 lagen aan. De geheugenfabrikant wil nog dit jaar beginnen met de productie op grote schaal van het geheugen en het dan gebruiken voor onder andere solid state drives.

Micron gaat eind dit jaar nandgeheugen produceren met twee stapels van elk 232 lagen op basis van zijn CuA-ontwerp. CuA staat voor ‘CMOS under Array’, wat betekent dat de cmos-circuits onder de actieve geheugenlagen geplaatst zijn.

Micron produceert sinds vorig jaar 3d-nandgeheugen met 176 lagen en bracht in maart dit jaar de eerste ssd’s voor datacenters met dit geheugen uit. De stap naar 232 lagen betekent dat de grootte van de die voor 1Tbit tlc-nand afneemt en Micron dus meer geheugen uit wafers kan halen. Met een daling van de productiekosten tot gevolg.

Micron maakte de komst van 3d-nand met 232 lagen bekend tijdens een presentatie voor investeerders, maar daarbij meldde het bedrijf verder geen details over het geheugen. Zo is onbekend wat de i/o-snelheden zijn. Wel toonde het bedrijf een roadmap met plannen voor nand met meer dan 300 en 400 lagen, maar onbekend is wanneer het bedrijf de productie van dit geheugen wil starten.