TSMC wil in 2025 chipproductie op 2nm-procedé starten – Computer – Nieuws

TSMC is van plan om in 2025 te beginnen met het produceren van chips op 2nm. De N2-node zal dan gebruikmaken van nanosheettransistors. Volgens de Taiwanese fabrikant kunnen met N2 gemaakte chips tot 15 procent sneller werken dan N3-chips.

In 2025 moeten de eerste 2nm-chips bij TSMC uit de chipmachines rollen en de nieuwe node markeert de overstap van chips op basis van finfets naar die op nanosheets. Hierbij gaat het om gate-all-around field-effect transistors die opgebouwd zijn uit de nanolagen. Bij gaa-fets wordt het kanaal van transistors geheel omsloten door de gate voor sneller schakelen en lagere lekstromen. Bij finfets ligt de gate over het kanaal, met de vorm van een vin.

Volgens TSMC maakt N2 snelheidsverbeteringen van 10 tot 15 procent versus N3E mogelijk, of een afname van het verbruik van 25 tot 30 procent, of een combinatie van de twee. De node krijgt een variant voor hoge prestaties en een basisversie voor mobiele chips. Daarnaast wijst TSMC op mogelijkheden voor chipletintegratie. N3E is TSMC’s tweede generatie 3nm-procedé, waarvan de productie halverwege 2023 van start moet gaan.

Wat de chipdichtheid betreft, grofweg de verhoging van het aantal transistors per oppervlak, is er bij de vergelijking tussen N2 en N3E sprake van een verbetering van 10 procent. Daarbij moet meegewogen worden dat de rek er bij sram en de analoge circuits voor een groot deel uit is en de schaalbaarheid dus van de processordelen moet komen, die TSMC voor 50 procent meerekent wat dichtheid betreft. Toch tekenen zowel AnandTech als Tom’s Hardware aan dat een verbetering van 1,1x aan de lage kant is en dat de verwachting is dat verdere toename van de dichtheid in de toekomst met dergelijke kleine stapjes gaat.